LED技術(shù)突破
：2018-03-06
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美國研究人員制作無下垂LED
香檳分校伊利諾伊大學(xué)的研究人員開發(fā)了一種制造更明亮、更高效的綠色LED今年的新方法。使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體生長方法，在硅襯底上生長氮化鎵（GaN）立方晶體，以產(chǎn)生用于固態(tài)照明的強(qiáng)大的綠光。
“這項(xiàng)工作是非常革命的這為新型綠色波長的發(fā)射器，可以針對先進(jìn)的固態(tài)照明在一個可擴(kuò)展的CMOS硅平臺的新材料開發(fā)，立方氮化鎵，說：”可以Bayram，于伊利諾斯電氣和計(jì)算機(jī)工程的助理教授
通常，氮化鎵形成兩種晶體結(jié)構(gòu)之一：六方晶系或立方晶系。六方GaN在熱力學(xué)上是穩(wěn)定的，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體應(yīng)用形式。然而，六方形式的GaN更容易極化，內(nèi)部電場將帶負(fù)電的電子和帶正電的空穴分開，阻止它們結(jié)合，從而降低光輸出效率。
巴伊蘭和他的研究生Richard Liu的研究引入了一個立方GaN晶體的形式，他們認(rèn)為它可以使LED零下垂。對于綠色，藍(lán)色或紫外線LED，發(fā)光效率普遍下降，較高的電流輸入，其特點(diǎn)是“下垂”。
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Ostendo Epilab推出世界上第一個全彩色的GaN基LED
位于卡爾斯巴德加利福尼亞南部，Ostendo EpiLab推出了世界上第一個RGB LED?；贚ED的GaN技術(shù)使用三個特定的材料構(gòu)成的量子結(jié)構(gòu)發(fā)出不同顏色的光，顏色LED可以單獨(dú)或混合排放。傳統(tǒng)的LED通常是單色的，只能發(fā)出一個波長。為了實(shí)現(xiàn)多彩的RGB照明效果，需要一個以上的LED來混合所需的顏色。
顏色由LED所用的熒光粉涂層或襯底材料決定。只有少數(shù)研究人員試圖制造一種能夠發(fā)射全范圍RGB顏色的LED芯片。
ostendo開發(fā)下一代固態(tài)照明（SSL）為基礎(chǔ)的顯示技術(shù)和產(chǎn)品的商業(yè)和消費(fèi)市場的目的在實(shí)現(xiàn)效率和成本效益的材料，設(shè)備和系統(tǒng)的水平。ostendo的有利的技術(shù)支持，在各自的市場顛覆性的產(chǎn)品。
紫外LED曲面透鏡技術(shù)進(jìn)展
重慶綠色智能在中國科學(xué)院公布了新的進(jìn)步，在紫外LED曲面透鏡技術(shù)所集成光學(xué)技術(shù)研究所，可應(yīng)用于紫外光源接觸，PCB，液晶顯示器，甚至在觸摸屏的應(yīng)用。中國研究院已獲得專利cn203642076u UV LED透鏡，和高度統(tǒng)一的UV LED曝光cn201420651432.4。
傳統(tǒng)的平行光曝光機(jī)使用高壓水銀燈因?yàn)楣庠从泻芏痰膲勖鼮?000小時，高功率消耗和污染物。用以取代汞燈光源的紫外發(fā)光二極管壽命幾乎是汞燈的50倍，可將能源消耗減少90%，大大降低生產(chǎn)成本，降低環(huán)境污染。
該研究所在LED多個曲面的精密照明方面取得了重大突破，適用于紫外波段和非有機(jī)光學(xué)元件加工等關(guān)鍵技術(shù)。研制的初始階段是以紫外LED準(zhǔn)直曝光機(jī)為基礎(chǔ)，準(zhǔn)直半角度可控制在2°以內(nèi)，照度分布不均勻小于3%，光強(qiáng)可達(dá)40毫瓦/平方厘米。
saphlux開發(fā)新技術(shù)來解決問題，Shuji Nakamura就
于2014由來自耶魯大學(xué)的Jung Han教授，GaN材料供應(yīng)商saphlux終于在2016年初提供了新的解決方案。該公司拒絕透露細(xì)節(jié)，因?yàn)樗婕暗綑C(jī)密業(yè)務(wù)信息，最終擺脫了傳統(tǒng)的半極性氮化鎵材料增長模型。該公司已能夠提供標(biāo)準(zhǔn)的大尺寸藍(lán)寶石襯底，可直接用于生長半極化氮化鎵，并控制晶體的生長方向和形狀。
這項(xiàng)技術(shù)突破表明，該行業(yè)將能夠解決量子下垂的瓶頸，以及第一代LED材料的綠色差距，從而生產(chǎn)出高效的LED和激光器。
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